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下記は、旧NECエレクトロニクス社が所管していた製品または情報に関するページです。

ニュースリリース(トランジスタ・ダイオード)

ニュースリリース（トランジスタ・ダイオード）
2009年 2月23日	薄型パッケージを採用したMOSFET4製品の発売について
2008年11月18日	パソコンをはじめとするDC/DCコンバータ向けパワーMOSFETの発売について
2008年 4月15日	大電流対応の4チャンネル発光ダイオード駆動用ICの発売について
2008年 2月28日	中国最大規模の半導体・電子部品展示会「IIC China 2008」ヘの出展について
2008年 1月30日	モバイル機器の小型化に貢献する小型パッケージパワーMOSFETを発売
2007年10月12日	中国ハイテクフェア2007へ出展
2007年 8月22日	パワーMOSFETおよびシステム電源IC事業の強化について
2007年 7月11日	自動車向けパワーMOSFET8製品の発売について
2007年 4月10日	自動車向け大電流駆動パワーMOSFETの発売について
2006年12月 8日	パワーステアリングのモーター駆動回路などの設計を容易にできるパワーMOSFETのサンプル出荷開始について
2006年11月20日	現行機種に比べてチップ面積あたりの性能を約3割向上させたリチウムイオン二次電池向けパワーMOSFETの発売について
2006年10月30日	業界最高クラスの6.7mオームのオン抵抗値性能を実現し、液晶テレビのバックライト駆動回路の構築コストを削減できるパワーMOSFETの発売について
2006年 3月27日	世界最小クラスのリチウムイオン二次電池向けパワーMOSFETの発売について
2006年 3月 2日	業界最高水準の低オン抵抗性能を実現したパソコン搭載バッテリー用MOSFETの発売について
2005年10月21日	車載用インテリジェント・パワー・デバイスの発売について
2004年 5月21日	自動車電装用　超低オン抵抗パワーMOSFETの発売について
2003年12月12日	高速動作と低消費電力を実現する65nmCMOSトランジスタ技術の開発
2003年10月 9日	広温度範囲で最大80km通信できるCWDM用LDモジュール3機種の発売（NEC化合物デバイス株式会社）
2003年 9月30日	超低オン抵抗パワーMOSFET
2003年 9月19日	世界最薄の接合形電界効果トランジスタの発売
2003年 8月 4日	世界最小の薄型｢リードレスパッケージ｣の開発について

ニュースリリース