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衛星ラジオ放送受信向け化合物トランジスタの発売について

～業界最高レベルの低雑音・高利得性能を実現～

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2007年9月6日 NECエレクトロニクス株式会社

ＮＥＣエレクトロニクスはこのたび、主に、カーオーディオやカーナビをはじめとする衛星ラジオ放送受信システムを構築する化合物トランジスタを製品化し、「NE3510M04」の名称で本日よりサンプル出荷を開始いたしました。
新製品は２GHzから８ＧＨzまでの周波数帯向けの低雑音増幅を行い、主に、衛星ラジオ放送の受信を可能とする低雑音増幅器（LNA： Low Noise Amplifier）として用いられるものです。
新製品は、当社従来品に比べて信号増幅時のノイズを0.1デシベル(dB)低減、増幅段レベルを1.5dB向上、および特性ばらつきの低減を実現していることが、大きな特長となっております。ユーザーは、新製品を採用することで、カーオーディオ、携帯音楽プレーヤーなどの受信感度向上による受信エリア拡大や、受信機器の小型化、低コスト化が可能になります。
新製品のサンプル価格は、30円／個となっており、量産時期および規模としては、2007年9月より月産10万個、2008年には同100万個を計画しております。

衛星ラジオ放送は、車載・移動体向け放送として2001年よりサービスが開始されたもので、従来のＡＭ／ＦＭラジオ放送に比べ受信状況の変化によるノイズが少なく高音質であること、多チャンネル化が容易であること、などの特長を有しております。特に北米では、広大な国土を移動する際に、周波数を変更することなくひとつのチャンネルで放送を受信することが可能なこともあり、2001年よりXM Satellite Radioが、また2002年にSIRIUS Satellite Radioが衛星デジタルオーディオラジオサービス（SDARS（エスダス）： Satellite Digital Audio Radio Service）を開始して以来、広く普及しております。また、最近では、携帯音楽プレーヤーへの同放送受信機能の搭載が受信契約者数の増加に拍車をかけ、2007年6月時点で受信契約者数が150万人を超える規模にまで拡大し、今後もより一層の受信契約者の増加が予想されております。
このような状況のもと、SDARS受信機能を搭載したセット市場では、受信システムの低価格化、高性能化をより一層進めるため、これらを実現する半導体製品の早期開発を求める声が高まってまいりました。
当社は1990年、ガリウムひ素を材料とし、通常のトランジスタより低雑音性能が非常に優れている、独自のプロセス技術「ヘテロジャンクション・フィールド・エフェクト・トランジスタ (注１)（以下、ヘテロジャンクションFET）」を駆使した製品を市場投入して以来、この分野を化合物半導体事業における重要製品分野のひとつとして位置づけており、積極的な事業展開を行ってまいりました。当社は衛星放送受信用の製品のなかでも、特に衛星テレビ放送分野において世界シェアの70％を保持しており、この分野で培った技術の蓄積を活かすことで衛星ラジオ放送分野においても市場の圧倒的支持を獲得し、業界をリードしております。
新製品は、衛星ラジオ放送の分野に向けて、特に低雑音特性を重視して開発されました。
新製品の特長は次の通りとなっております。

（１）業界最高レベルの低雑音・高利得性能を実現
新材料を追加したガリウムひ素の基板上にウェハー素材と異なる素材を拡散するエピタキシャル層（注２）の構造の最適化を行うことにより、信号を増幅する際に従来品と比べてノイズを0.1dB低減し、さらに増幅段レベルを1.5dB向上している。その結果、業界最高レベルの低雑音特性および高利得性能を合わせて実現している。

（２）幅広い周波数に対応
２GHzから８ＧＨz帯までの幅広い周波数の信号を受信し、増幅することが可能。

（３）当社独自のヘテロジャンクションＦＥＴ技術を採用
今回の製品には、インジウム・ガリウムひ素(InGaAs)チャネル層をn型のアルミニウム・ガリウムひ素(AlGaAs)電子供給層で挟み込んだ独自の構造を適用している。また、独自の電極形成技術により、超低雑音のヘテロジャンクションＦＥＴを実現しているとともに、エピタキシャル層の構造とチップ製造条件を工夫することで、チップ製造工程における特性ばらつき発生を低減している。

当社は、新製品がユーザーのより高性能で低コストな製品開発を支援する製品と位置づけ、拡販活動に努める所存です。また当社では、新製品に加え、量産中の衛星ラジオ放送受信機器向けヘテロジャンクションＦＥＴ製品はもちろん、シリコン、シリコンゲルマニウムトランジスタといった別材料のトランジスタならびに各種ＩＣ製品も高周波デバイスとして取り揃えており、これらの組み合わせによるトータルソリューションを今後も引き続きユーザーへ提供してまいります。
新製品の仕様は別紙をご参照ください。

（注１）	ヘテロジャンクション・フィールド・エフェクト・トランジスタ（Hetero Junction - Field Effect Transistor：HJ-FET） バンドギャップの異なる半導体接合を利用した電界効果型トランジスタの総称。今回の製品には、不純物をドープしていないインジウム・ガリウムひ素(InGaAs)チャネル層をn型のアルミニウム・ガリウムひ素(AlGaAs)電子供給層で挟み込んだ独自の構造を開発適用した。電子濃度と移動度が高いため、損失の低いスイッチＩＣの実現が可能である。
（注２）	エピタキシャル層 単結晶基板上にその基板の結晶構造に合わせて単結晶膜を成長した結晶膜。

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ニュースリリースに掲載されている情報は、発表日現在の情報です。
その後予告なしに変更されることがございますので、あらかじめご承知ください。