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業界最小レベルに小型・薄型化したガリウム砒素スイッチICの製品化について

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2006年7月5日 NECエレクトロニクス株式会社

ＮＥＣエレクトロニクスはこのたび、業界最小レベルの小型・薄型化を実現した高周波ガリウム砒素DPDT(Double Pole Double Throw)スイッチICの開発を完了し、「μPG2164T5N」の名称で、本日からサンプル出荷を開始いたしました。
新製品は、無線LAN対応端末の送受信機部において、送受信の切り替えおよびアンテナの切り替えを行なうスイッチICで、縦1.5㎜、横1.5㎜、高さ0.37 ㎜という業界最小レベルの超小型パッケージに封入されているため、実装面積で75％、厚さで50％（当社従来品比）の小型化を実現していることが最大の特長となっております。また、信号通過時の挿入損失を40％（当社従来品比）低減していること、2.4ＧＨｚから6.0ＧＨｚまでの広帯域の高周波信号に対応していること、などの特長も有しております。
新製品のサンプル価格は、80円/個となっており、量産時期および規模としては、2006年7月より月産30万個、2007年には同100万個を予定しております。

近年、無線LANの普及に伴い、ノートパソコンや携帯ゲーム機器に送受信機能が内蔵されることが主流となっております。当社はかねてより、無線通信機器の送受信性能を左右する送信用パワーアンプ、受信用ローノイズアンプ、送受信切り替えスイッチという3つの高周波部品に対し、当社独自のプロセス技術を駆使した高性能ディスクリート半導体やモノリシックマイクロ波ICを市場に投入し、好評を博しております。特に無線LAN用ガリウム砒素スイッチICの分野においては、2004年に、ヘテロジャンクション・フィールド・エフェクト・トランジスタ（Hetero Ｊunction Field Effect Transistor：HＪFET 注）技術を駆使することにより、縦3mm、横3mm、高さ0.75ミリメートルの12ピンQFN（Quad Flat Non-leaded）パッケージ製品を市場に投入するなど、その高い技術力が市場に認められております。

新製品は、通信機器向け半導体の品種拡充の一環として開発されたもので、新たに開発した低ON抵抗HJFETを駆使することにより、業界最小クラスのDPDTスイッチICを製品化したものです。また新製品は、当社が先月サンプル出荷を開始した送信用パワーアンプＩＣ「μＰＧ２３１５Ｔ５Ｔ」および受信用ローノイズトランジスタ「ＮＥＳＧ３０３１Ｍ０５」と共に大手無線LANチップセットベンダーのリファレンスデザインにも採用された優れた製品であります。
新製品の主な特長は次の通りとなっております。

(１) 実装面積で75％、厚さで50％という小型化を実現
実装面積で75％、厚さで50％（当社従来製品比）減となる縦1.5㎜、横1.5㎜、厚さ0.37㎜の6ピンTSON（Thin Small Out-line Non-Leaded）パッケージに封入しているため、セット製品やモジュールのより一層の小型化に貢献できる。

(2) 挿入損失を40％低減
挿入損失を周波数2.5GHzにて0.5デシベル、同6.0GHzにて0.7デシベルと約40％（当社従来品比）低減しており、パワーアンプの消費電流低減や受信時の低雑音特性に貢献できる。

(３)2.4GHz～6.0GHzと広帯域での動作
回路設計の最適化を図り寄生容量成分を低減させたことにより、IEEE802.11ｂ/ｇおよびIEEE802.11aで規定されている2.4GHz～6.0GHzの帯域動作を可能にしている。

当社は、新製品の市場投入により無線LAN対応の送受信機能の性能向上と実装面積低減が図れるものと考えており、これらを必要とする応用分野に向けて積極的な販売活動を展開するとともに、本パッケージを採用した製品の品種拡充を図ることにしております。
新製品の仕様については別紙をご参照下さい。

（注）ヘテロジャンクション・フィールド・エフェクト・トランジスタ
バンドギャップの異なる半導体接合を利用した電界効果型トランジスタの総称。今回の製品には、不純物をドープしていないインジウム・ガリウム砒素(ＩｎＧａＡｓ)チャネル層をｎ形のアルミニウム・ガリウム砒素(ＡｌＧａＡｓ)電子供給層で挟み込んだ独自の構造を開発適用した。電子濃度と移動度が高いため、損失の低いスイッチＩＣの実現が可能である。

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ニュースリリースに掲載されている情報は、発表日現在の情報です。
その後予告なしに変更されることがございますので、あらかじめご承知ください。