トランジスタ

Q-1

2SD1899-Z(MP-3) の全損失が 1.0W の時、ケース表面温度が 80℃になりました。
この時のジャンクション温度は何度になりますか？

A-1

2SD1899-Z(MP-3)のジャンクション - ケース間熱抵抗 R_th(j-c) は、熱抵抗算出式により12.5℃/W と求めることができます。
よって、ケース温度 80℃、全損失 1.0Wの場合のジャンクション温度は、下記計算式で求められます。

80 [℃] + 12.5 [℃/W] * 1.0 [W] = 92.5 [℃]

Q-1

データ・シートにV_BEの低温及び高温時のデータが載っておりません。
V_BEの温度特性を教えてください。

A-1

V_BEの温度特性はPNジャンクションの温度係数(-2mV/℃)で決まります。

(2004/07)

Q-2

コレクタ遮断電流I_CBOの温度による変化量はどの程度になりますか？

A-2

I_CBOの温度特性は、ほぼ10℃上昇するごとに2倍の変化を示します。

(2005/12)

Q-3

h_FEの温度特性を教えてください。

A-3

h_FEの温度特性は、ほぼ0.5～1.5%/℃です。回路設計の際には、特に低温でのh_FE減少を考慮する必要があります。

(2005/12)

Q-1

『 L4 』と捺印されている製品は何でしょうか？

A-1

トランジスタの 2SC1623 です。
表面実装品では、品名をh_FEランクで分類した記号を現品に表示しています。

参考：2SC1623 h_FEランク

捺印	L4	L5	L6	L7
hFE	90～180	135～270	200～400	300～600

(2005/03)

Q-1

小信号用トランジスタでは、絶対最大定格でベース電流を規定していませんが、 どのくらい流せるのですか？

A-1

Ibの最大定格としての考え方は、Ib ≦ (1/10)Ic とみなすのが一般的です。
コレクタ電流の絶対最大定格を元にご確認ください。

Q-1

表面実装用トランジスタの推奨マウント・パッドはありますか？

A-1

パッケージごとに異なりますので、下記Web ページで該当パッケージ名のマウント・パッドをクリックして参照してください。
/discrete/ja/package/smd.html

なお、RF/マイクロ波デバイスについては、下記ページに掲載の「高周波およびマイクロ波デバイス・パッケージ・ラインナップ」をご参照ください（CADデータはこちら）。
/microwave/ja/document.html#pkg

(2007/03)

Q-1

コンプリメンタリ使用を保証するための素子としての要件(必要な特性)、その保証値または許容値等を教えてください。

A-1

コンプリメンタリとして推奨をしていても特段に保証項目を決めてはおりません。
一般的に要望されるコンプリメンタリ特性としての項目は、直流電流増幅率(h_FE)の電流特性です。
その他、設計される回路から要望される特性項目は異なってくるかと考えます。
したがいまして、コンプリメンタリとしてご使用の際は、個々の特性を見比べてご判断いただくことになります。

Q-1

トランジスタの特性として、コレクタ容量(Cob)やトランジション周波数(f_T)は、h_FEランクと相関があるのでしょうか？

A-1

一般に、h_FEとコレクタ容量(Cob)の相関はありません。
一方、トランジション周波数(f_T)はh_FEが下がれば電流利得が下がりますので、低くなります。

関連項目
トランジション周波数

Q-1

増幅用トランジスタでは、ターンオン時間とターンオフ時間はどのくらいですか。

A-1

増幅用トランジスタはスイッチング用ではないので、ターンオン時間とターンオフ時間を規定していません。スイッチング特性が必要な場合は、スイッチング用のトランジスタをご使用ください。

(2007/10)

Q-1

2SC1623のVceo逆電圧の耐圧は何ボルトとなるでしょうか？

A-1

Vceoの逆方向電圧は規定していませんが、目安として絶対最大定格Vebo程度となります。
2SC1623の場合は約5V(エミッタ基準のコレクタ電圧は-5V)です。

Q-1

2SC4176のデータ・シートにおいて、絶対最大定格Vces=40V,Vceo=15Vとありますが、この二つの違いを教えて下さい。
実際に、コレクタ－エミッタ間の最大電圧はどちらを適用すれば宜しいでしょうか？

A-1

電圧の規定方法として定格電圧を例にとれば、エミッタを基準にコレクタ～エミッタ間に電圧を印加し、ベース端子の状態により規定をしております。
つまり、Vceo（図1）はベース オープンでのコレクタ～エミッタ間の定格であり、Vces（図2）はベース～エミッタ間ショートでのコレクタ～エミッタ間の定格です。
VceoとVcesはVceo＜Vcesの関係にありますので、低い方のVceoを守っていただければ安全です。

(2006/07)

Q-1

データシートに低周波増幅用とか高周波増幅用と記載してありますが、それぞれの周波数範囲は具体的にどの様になりますか？

A-1

厳密な区分はありませんが、低周波用素子とは一般に音声や楽器などの数十Hzから数十kHz程度の周波数領域の増幅用を言います。
高周波増幅用は数十kHzから数百MHz程度の信号増幅を想定しています。
ちなみに、1GHz以上では超高周波増幅用と呼ばれます。

(2005/12)

Q-1

バイポーラトランジスタの静電気耐量（人体モデルHBM,機械モデルMM）を教えてください。

A-1

トランジスタの静電気耐量は規定しておりません。
必要な場合は販売特約店に「品質/信頼性試験報告書」をご要求ください。
人体モデル(HBM)，機械モデル(MM)については半導体 品質/信頼性ハンドブックの　5. 4 ESDに対する注意事項　をご参照ください。

(2006/04)

Q-1

長時間使用中にh_FEの劣化が起きることがあると聞きました。
h_FEが劣化する要因と対策を教えてください。

A-1

トランジスタのエミッタ・ベース間に逆バイアス・ブレークダウン電圧（エミッタ･ベース間電圧V_EBO）近く、またはそれ以上の電圧が瞬時的にも繰り返し印加される回路では、長時間の使用でh_FE劣化を招きます。
回路設計では、このエミッタ・ベース間の逆バイアス・ブレークダウンを起こさないことが必要です。

(2007/09)

Q-1

2SC3632のデータ・シートに、下図の過渡熱抵抗対パルス幅の特性グラフがありますが、特性曲線の「単体」と「無限大放熱板」からどのような熱抵抗がよみとれますか？

A-1

特性曲線の「単体」はジャンクション・周囲間の過渡熱抵抗を、「無限大放熱板」はジャンクション・ケース間の過渡熱抵抗をそれぞれ示しています。
特性曲線の最右側(パルス幅100s)の値が定常熱抵抗値になります。

(2007/11)

Q-1

2SA1396の過渡熱抵抗グラフの全損失の条件に「T_A=25℃ 放熱板なし」とありますが、これはどのような実装状態なのでしょうか？
ある程度の大きさの基板に実装しているのでしょうか？

A-1

「T_A=25℃　放熱板なし」は、図のように基板に自立（縦差し）実装し、放熱板を付けない状態での規定です。
なお、この場合基板への放熱は実質的に少ないために、基板サイズは特に規定しておりません。

(2006/11)

Q-1

2SA1412のデータ・シートに図のような放熱板付きの損失特性が記載してありますが、取り付け可能な放熱板の型名、取り付け方法等を教えてください。

A-1

放熱板の型名、取り付け方法等は弊社で特に指定いたしておりません。
お客様使用条件を基に、放熱板メーカにお問い合わせください。
なお、下記URLの技術資料にMP-3パッケージの放熱フィン取り付け例や注意事項が記載されておりますので、ご参照ください。

アプリケーション・ノート「表面実装用MP-3形パワーデバイス」

関連項目
電力定格

(2007/01)

Q-1

uPA2000シリーズにおいて、出力側にリレーや電磁弁を接続する際、リレーや電磁弁のコイル両端にサージ吸収用のダイオードを付けた方が良いのでしょうか？

A-1

UPA2000シリーズには、図(A)のようにサージ吸収用ダイオードが内蔵されておりますので、出力側にリレーや電磁弁を接続する際のサージ吸収用ダイオードは基本的に必要ございません。
しかしながら、内蔵ダイオードの絶対最大定格を越えるサージが想定される場合は、損失容量の大きいサージ吸収用ダイオードの外付けが必要です。
また、図(B)のように電源電圧が異なることで内蔵ダイオードが使えない場合や、一定時間に渡って回生電流が生じるパルスモータ駆動等では、内蔵ダイオードはスパイク電圧吸収を主眼としているため外付けダイオードが必要となります。

(2006/11)

Q-1

2SB1430,2SB1431,2SB1432等は同一パッケージ(TO-220)なのに"P_T(T_C=25℃)"の全損失の値が20W,25W,30Wと違っています。
パッケージは同じなのに、なぜ違うのですか？
チップサイズが違うからですか？
チップサイズの違いによる場合、"P_T(T_A=25℃)"ではなぜ同じ2.0Wの全損失になるのですか？

A-1

チップサイズの違いによります。
"P_T(T_C=25℃)"の場合の全損失はチップサイズに影響されます。
チップサイズが大きい方が放熱し易く、全損失は大きくなります。
"P_T(T_A=25℃)"の場合は、ほとんどパッケージから周囲への放熱となり、チップサイズの全損失への影響はほとんどございません。

(2006/12)

Q-1

2SA1611,2SC4177の絶対最大定格において、コレクタ電流Ic=100mAとありますが、これは直流電流とパルス電流のどちらにも当てはまる数値でしょうか？
違う場合、その絶対最大定格を教えてください。

A-1

2SA1611,2SC4177の絶対最大定格コレクタ電流は、直流電流での定格です。パルス電流での規定はいたしておりません。
よって、パルスのコレクタ電流においても、この定格内でのご使用をお願い申し上げます。

(2006/12)

Q-1

トランジスタの動作領域である飽和領域、活性領域、遮断領域とはそれぞれどの様な動作状態を言うのですか？

A-1

飽和領域：	ベース電流を大きくしていくと、負荷抵抗の両端電圧（VRl=Ic×Rl）は大きくなります。図で言えば負荷線上a→bへ移動します。電源電圧が一定であれば、ベース電流をいくら増やしても負荷線上cから先はコレクタ電流が増えません。コレクタ・エミッタ間の電圧は最小となります。 この最小電圧をコレクタ飽和電圧VCE(sat)と言います。 この領域はスイッチ動作としてのオン状態です。
活性領域：	図の薄いブルーの領域は、負荷線上bを中心に適切なベース電流である入力信号の変化を、大きなコレクタ電流の変化としてひずみなく増幅することができる領域です。
遮断領域：	ベース端子をオープンにしても、コレクタ・エミッタ間遮断電流ICEO(一般に規格なし)が流れます。この領域を遮断領域（コレクタ遮断領域）と言います。 この領域はスイッチ動作のオフ状態です。

関連項目：コレクタ飽和電圧

(2007/02)

Q-1

uPA604TはNPNトランジスタが2回路内蔵されていますが、この製品は差動増幅用に使用できますか？

A-1

差動増幅用は電気的、熱的に平衡でなければなりませんが、uPA604Tを含め、当社に差動増幅用に設計をした製品はございません。

(2007/12)

Q-1

FA1L4Lベース端子に電圧4Vを加えた時のベース電流値を計算したいが、計算方法が解りません。どのように考えたらよいか教えてください。

A-1

FA1L4Lのベース電流値は、ベース端子(B)に流れる電流(I_B)です。
内部トランジスタのベース・エミッタ間に流れる電流ではございません。
ベース・エミッタ間抵抗:R2(TYP.22kΩ)に流れる電流を含めた電流値です。
ベース電流(I_B)値は、目安として(4V-0.6V)/47KΩ=72μAとなります。
なお、ベース・エミッタ間抵抗:R2(TYP.22KΩ)の電流値は0.6V/22KΩ=27μA程度となります。
ちなみに、コレクタ電流(I_C)は抵抗内蔵であってもベース電流(I_B)のh_FE倍流れることになります。

(2007/12)